Vishay Siliconix - SISS28DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396126

SISS28DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [214380ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17253
  • 3,000 pcs$0.16201

Hissə nömrəsi:
SISS28DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - JFETlər and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SISS28DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SISS28DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SISS28DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS28DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SISS28DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.52 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : +20V, -16V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3640pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 57W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8S