Hissə nömrəsi :
UGB8DT-E3/81
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
8A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 8A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 200V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-263AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C