Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS120-M3/5BT

KEY Part #: K6457903

MURS120-M3/5BT Qiymətləndirmə (USD) [745606ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05235
  • 12,800 pcs$0.05209

Hissə nömrəsi:
MURS120-M3/5BT
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25NS,UF RECT,SMD
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Subay and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division MURS120-M3/5BT elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MURS120-M3/5BT sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MURS120-M3/5BT üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS120-M3/5BT Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : MURS120-M3/5BT
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 875mV @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 35ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 2µA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AA, SMB
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AA (SMB)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt