Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB400TH120N

KEY Part #: K6533215

VS-GB400TH120N Qiymətləndirmə (USD) [347ədəd Stok]

  • 1 pcs$133.12944
  • 12 pcs$126.79014

Hissə nömrəsi:
VS-GB400TH120N
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB400TH120N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-GB400TH120N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-GB400TH120N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB400TH120N Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-GB400TH120N
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 800A
Gücü - Maks : 2604W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 32.7nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi : Double INT-A-PAK

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.