ON Semiconductor - FQPF7N80C

KEY Part #: K6417581

FQPF7N80C Qiymətləndirmə (USD) [35025ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.17667
  • 1,000 pcs$0.34096

Hissə nömrəsi:
FQPF7N80C
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQPF7N80C elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQPF7N80C sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQPF7N80C üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF7N80C Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQPF7N80C
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1680pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 56W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220F
Paket / Case : TO-220-3 Full Pack

Maraqlı ola bilərsiniz