Vishay Siliconix - SQJ941EP-T1-GE3

KEY Part #: K6522887

[4349ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SQJ941EP-T1-GE3
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix SQJ941EP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SQJ941EP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SQJ941EP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SQJ941EP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SQJ941EP-T1-GE3
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
    Seriya : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : 2 P-Channel (Dual)
    FET Feature : Logic Level Gate
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1800pF @ 10V
    Gücü - Maks : 55W
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
    Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8 Dual