Hissə nömrəsi :
APTGT75DA120T1G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
IGBT 1200V 110A 357W SP1
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
IGBT növü :
Trench Field Stop
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
250µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
5.34nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP1