Hissə nömrəsi :
APTGT200A120G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
IGBT növü :
Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
350µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP6