Vishay Siliconix - SI7998DP-T1-GE3

KEY Part #: K6523269

SI7998DP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [123967ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.29837
  • 3,000 pcs$0.28017

Hissə nömrəsi:
SI7998DP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - RF, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7998DP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7998DP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7998DP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7998DP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1100pF @ 15V
Gücü - Maks : 22W, 40W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8 Dual