Toshiba Semiconductor and Storage - TK160F10N1L,LQ

KEY Part #: K6418601

TK160F10N1L,LQ Qiymətləndirmə (USD) [69651ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.56138

Hissə nömrəsi:
TK160F10N1L,LQ
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - RF, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TK160F10N1L,LQ sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TK160F10N1L,LQ üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK160F10N1L,LQ Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TK160F10N1L,LQ
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Seriya : U-MOSVIII-H
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 160A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10100pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 175°C
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220SM(W)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB