Vishay Siliconix - SISH625DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393385

SISH625DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [344842ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10726

Hissə nömrəsi:
SISH625DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SISH625DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SISH625DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SISH625DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH625DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SISH625DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4427pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8SH