Hissə nömrəsi :
VS-GT50TP60N
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
85A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
3.03nF @ 30V
Əməliyyat temperaturu :
175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi :
INT-A-PAK