Microsemi Corporation - APTGT35H120T1G

KEY Part #: K6534028

[637ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    APTGT35H120T1G
    İstehsalçı:
    Microsemi Corporation
    Ətraflı Təsviri:
    IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Microsemi Corporation APTGT35H120T1G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APTGT35H120T1G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APTGT35H120T1G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT35H120T1G Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : APTGT35H120T1G
    İstehsalçı : Microsemi Corporation
    Təsvir : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    IGBT növü : Trench Field Stop
    Konfiqurasiya : Full Bridge Inverter
    Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
    Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 55A
    Gücü - Maks : 208W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 35A
    Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 250µA
    Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 2.5nF @ 25V
    Giriş : Standard
    NTC Termistor : Yes
    Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Chassis Mount
    Paket / Case : SP1
    Təchizatçı cihaz paketi : SP1