Microsemi Corporation - JANTXV1N5419US

KEY Part #: K6448087

JANTXV1N5419US Qiymətləndirmə (USD) [3733ədəd Stok]

  • 1 pcs$11.66118
  • 100 pcs$11.60316

Hissə nömrəsi:
JANTXV1N5419US
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JANTXV1N5419US elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JANTXV1N5419US sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JANTXV1N5419US üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5419US Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JANTXV1N5419US
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/411
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 500V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.5V @ 9A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 250ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 1µA @ 500V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : SQ-MELF, B
Təchizatçı cihaz paketi : D-5B
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • GPP60GHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60DHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

  • GPP60D-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

  • GPP60BHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • GPP60AHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 6A P600.

  • GPP60A-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 6A P600.