Hissə nömrəsi :
NTD6416ANLT4G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
74 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1000pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
71W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63