Vishay Siliconix - SIB900EDK-T1-GE3

KEY Part #: K6525448

SIB900EDK-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [414489ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

Hissə nömrəsi:
SIB900EDK-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIB900EDK-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIB900EDK-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB900EDK-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIB900EDK-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 4.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
Gücü - Maks : 3.1W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SC-75-6L Dual