Vishay Siliconix - SI8469DB-T2-E1

KEY Part #: K6401573

SI8469DB-T2-E1 Qiymətləndirmə (USD) [3004ədəd Stok]

  • 3,000 pcs$0.07418

Hissə nömrəsi:
SI8469DB-T2-E1
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI8469DB-T2-E1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI8469DB-T2-E1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI8469DB-T2-E1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8469DB-T2-E1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI8469DB-T2-E1
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 8V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 900pF @ 4V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 4-Microfoot
Paket / Case : 4-UFBGA