İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
30A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2.1V @ 30A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
45ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
250µA @ 600V
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220-2L
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C