Taiwan Semiconductor Corporation - HS3A M6G

KEY Part #: K6458223

HS3A M6G Qiymətləndirmə (USD) [973167ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.03801

Hissə nömrəsi:
HS3A M6G
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation HS3A M6G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. HS3A M6G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. HS3A M6G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3A M6G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : HS3A M6G
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1V @ 3A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AB, SMC
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AB (SMC)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in