ON Semiconductor - FQB6N80TM

KEY Part #: K6392833

FQB6N80TM Qiymətləndirmə (USD) [66450ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.09960
  • 10 pcs$0.99132
  • 100 pcs$0.79673

Hissə nömrəsi:
FQB6N80TM
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - TRIACs and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQB6N80TM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQB6N80TM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQB6N80TM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB6N80TM Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQB6N80TM
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1500pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maraqlı ola bilərsiniz