ON Semiconductor - NTMS4N01R2G

KEY Part #: K6411372

[13813ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    NTMS4N01R2G
    İstehsalçı:
    ON Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Güc Sürücü Modulları ...
    Rəqabətli üstünlük:
    ON Semiconductor NTMS4N01R2G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. NTMS4N01R2G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. NTMS4N01R2G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMS4N01R2G Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : NTMS4N01R2G
    İstehsalçı : ON Semiconductor
    Təsvir : MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3.3A (Ta)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
    Vgs (Maks) : ±10V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1200pF @ 10V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 770mW (Ta)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : 8-SOIC
    Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)