ES2F-M3/52T Qiymətləndirmə (USD) [777530ədəd Stok]
- 1 pcs$0.05020
- 9,000 pcs$0.04995
- Hissə nömrəsi:
- ES2F-M3/52T
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35NS,UF Rect,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division ES2F-M3/52T elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. ES2F-M3/52T sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. ES2F-M3/52T üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
ES2F-M3/52T Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
ES2F-M3/52T
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
300V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
2A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.1V @ 2A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 300V
Kapasitans @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-214AA, SMB
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-214AA (SMB)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
İsti hissələr
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215
选择你的位置