Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8AT-E3/81

KEY Part #: K6437555

NSB8AT-E3/81 Qiymətləndirmə (USD) [143207ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.25828
  • 800 pcs$0.24191

Hissə nömrəsi:
NSB8AT-E3/81
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - RF and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8AT-E3/81 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. NSB8AT-E3/81 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. NSB8AT-E3/81 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8AT-E3/81 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : NSB8AT-E3/81
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 8A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 8A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM