BAS116,235 Qiymətləndirmə (USD) [2788354ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01526
- 10,000 pcs$0.01518
- 30,000 pcs$0.01429
- 50,000 pcs$0.01339
- 100,000 pcs$0.01190
- Hissə nömrəsi:
- BAS116,235
- İstehsalçı:
- Nexperia USA Inc.
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE LOW LEAKAGE TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - JFETlər, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Diodlar - Zener - Diziler ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Nexperia USA Inc. BAS116,235 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS116,235 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS116,235 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BAS116,235 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BAS116,235
İstehsalçı :
Nexperia USA Inc.
Təsvir :
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
75V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
215mA (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 150mA
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
3µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5nA @ 75V
Kapasitans @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-236AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
İsti hissələr
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18
选择你的位置