Hissə nömrəsi :
TK5A60W,S4VX
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
5.4A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 270µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
380pF @ 300V
FET Feature :
Super Junction
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
30W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220SIS
Paket / Case :
TO-220-3 Full Pack