Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P12-5001M3/87A

KEY Part #: K6441809

[3348ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    V12P12-5001M3/87A
    İstehsalçı:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Ətraflı Təsviri:
    DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Semiconductor Diodes Division V12P12-5001M3/87A elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. V12P12-5001M3/87A sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. V12P12-5001M3/87A üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V12P12-5001M3/87A Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : V12P12-5001M3/87A
    İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Təsvir : DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
    Seriya : eSMP®, TMBS®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    Diod növü : Schottky
    Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 120V
    Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 12A
    Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 800mV @ 12A
    Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
    Cari - Tərs Sızma @ Vr : 500µA @ 120V
    Kapasitans @ Vr, F : -
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : TO-277, 3-PowerDFN
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-277A (SMPC)
    Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -40°C ~ 150°C

    Maraqlı ola bilərsiniz
    • CDBDSC3650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APU02-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

    • VS-60APU06PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp