Vishay Siliconix - SI7972DP-T1-GE3

KEY Part #: K6524937

SI7972DP-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [178762ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.20691
  • 3,000 pcs$0.19429

Hissə nömrəsi:
SI7972DP-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7972DP-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7972DP-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7972DP-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7972DP-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7972DP-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1050pF @ 30V
Gücü - Maks : 22W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8 Dual