Vishay Siliconix - SIS902DN-T1-GE3

KEY Part #: K6524070

[7564ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SIS902DN-T1-GE3
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIS902DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIS902DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIS902DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SIS902DN-T1-GE3
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
    Seriya : TrenchFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature : Standard
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 75V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 186 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 175pF @ 38V
    Gücü - Maks : 15.4W
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8 Dual