EGL34DHE3_A/H Qiymətləndirmə (USD) [782736ədəd Stok]
- 1 pcs$0.04725
- Hissə nömrəsi:
- EGL34DHE3_A/H
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Zener - Subay ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34DHE3_A/H elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. EGL34DHE3_A/H sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. EGL34DHE3_A/H üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
EGL34DHE3_A/H Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
EGL34DHE3_A/H
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
Seriya :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
500mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 500mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AA (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AA (GL34)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
İsti hissələr
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置