Infineon Technologies - AUIRF7665S2TR

KEY Part #: K6420412

AUIRF7665S2TR Qiymətləndirmə (USD) [192312ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.19233
  • 4,800 pcs$0.17648

Hissə nömrəsi:
AUIRF7665S2TR
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies AUIRF7665S2TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AUIRF7665S2TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AUIRF7665S2TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7665S2TR Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AUIRF7665S2TR
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 515pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DIRECTFET SB
Paket / Case : DirectFET™ Isometric SB

Maraqlı ola bilərsiniz