IXYS-RF - IXFT12N100F

KEY Part #: K6397792

IXFT12N100F Qiymətləndirmə (USD) [7792ədəd Stok]

1 pcs$6.45185
10 pcs$5.86572
100 pcs$4.98586
500 pcs$4.25265

Hissə nömrəsi:: IXFT12N100F

İstehsalçı:: IXYS-RF

Ətraflı Təsviri:: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...

Rəqabətli üstünlük:: IXYS-RF IXFT12N100F elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT12N100F sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT12N100F üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IXFT12N100F Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFT12N100F

İstehsalçı : IXYS-RF

Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Seriya : HiPerRF™

Hissə Vəziyyəti : Active

FET növü : N-Channel

Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)

Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V

Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (Maks) : ±20V

Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2700pF @ 25V

FET Feature : -

Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)

Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü : Surface Mount

Təchizatçı cihaz paketi : TO-268 (IXFT)

Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Son xəbərlər

Guerrilla RF GRF4042 Low Noise Amplifier with Low Bypass

Guerrilla RF Linear Noise Amplifiers

Maraqlı ola bilərsiniz

TN0106N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.
IRLR024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.
IRLR2908PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.
TK100A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.
TK10A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 800V TO220SIS.
TK32A12N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.

English Azərbaycan