Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10GHM3_A/H

KEY Part #: K6439737

BYG10GHM3_A/H Qiymətləndirmə (USD) [610372ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.06060
  • 12,600 pcs$0.05270

Hissə nömrəsi:
BYG10GHM3_A/H
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,400V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - SCRlər and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10GHM3_A/H elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BYG10GHM3_A/H sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BYG10GHM3_A/H üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10GHM3_A/H Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BYG10GHM3_A/H
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Avalanche
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 400V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1.5A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.15V @ 1.5A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 4µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 1µA @ 400V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG10J-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt

  • BYG24J-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG20G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD