Microsemi Corporation - APT80GP60J

KEY Part #: K6532686

APT80GP60J Qiymətləndirmə (USD) [2385ədəd Stok]

  • 1 pcs$18.15673
  • 10 pcs$16.98041
  • 25 pcs$15.70439
  • 100 pcs$14.72279
  • 250 pcs$13.74127

Hissə nömrəsi:
APT80GP60J
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
IGBT 600V 151A 462W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation APT80GP60J elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APT80GP60J sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APT80GP60J üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT80GP60J Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : APT80GP60J
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : IGBT 600V 151A 462W SOT227
Seriya : POWER MOS 7®
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
IGBT növü : PT
Konfiqurasiya : Single
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 151A
Gücü - Maks : 462W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 80A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 9.84nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : ISOTOP
Təchizatçı cihaz paketi : ISOTOP®

Maraqlı ola bilərsiniz
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.