VS-HFA04SD60STR-M3 Qiymətləndirmə (USD) [103752ədəd Stok]
- 1 pcs$0.37687
- 2,000 pcs$0.31002
- Hissə nömrəsi:
- VS-HFA04SD60STR-M3
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA04SD60STR-M3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-HFA04SD60STR-M3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-HFA04SD60STR-M3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
VS-HFA04SD60STR-M3 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
VS-HFA04SD60STR-M3
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK
Seriya :
HEXFRED®
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
4A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.8V @ 4A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
42ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
3µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
-
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı cihaz paketi :
D-PAK (TO-252AA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60SRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
İsti hissələr
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置