Global Power Technologies Group - GHIS080A060S-A1

KEY Part #: K6532687

GHIS080A060S-A1 Qiymətləndirmə (USD) [2151ədəd Stok]

  • 1 pcs$20.13502
  • 10 pcs$18.82759
  • 25 pcs$17.41267
  • 100 pcs$16.32438
  • 250 pcs$15.23608

Hissə nömrəsi:
GHIS080A060S-A1
İstehsalçı:
Global Power Technologies Group
Ətraflı Təsviri:
IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Tiristorlar - SCRlər, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Global Power Technologies Group GHIS080A060S-A1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. GHIS080A060S-A1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. GHIS080A060S-A1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A060S-A1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : GHIS080A060S-A1
İstehsalçı : Global Power Technologies Group
Təsvir : IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Single
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 160A
Gücü - Maks : 380W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 80A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 2mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 5.44nF @ 30V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227

Maraqlı ola bilərsiniz
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.