Hissə nömrəsi :
BSM75GB170DN2HOSA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1700V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
-
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
Module