Infineon Technologies - PSDC412E11228049NOSA1

KEY Part #: K6532715

PSDC412E11228049NOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [31ədəd Stok]

  • 1 pcs$1119.11313

Hissə nömrəsi:
PSDC412E11228049NOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies PSDC412E11228049NOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PSDC412E11228049NOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PSDC412E11228049NOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC412E11228049NOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : PSDC412E11228049NOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOD IGBT STACK PSAO-1
Seriya : *
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : -
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : -
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : -
Gücü - Maks : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : -
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : -
Giriş : -
NTC Termistor : -
Əməliyyat temperaturu : -
Montaj növü : -
Paket / Case : -
Təchizatçı cihaz paketi : -

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.