Microsemi Corporation - APTGT100A1202G

KEY Part #: K6533670

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...

Rəqabətli üstünlük:: Microsemi Corporation APTGT100A1202G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APTGT100A1202G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APTGT100A1202G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : APTGT100A1202G

İstehsalçı : Microsemi Corporation

Təsvir : MOD IGBT 1200V 140A SP2

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Obsolete

IGBT növü : Trench Field Stop

Konfiqurasiya : Half Bridge

Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V

Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 140A

Gücü - Maks : 480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 50µA

Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V

Giriş : Standard

NTC Termistor : No

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü : Through Hole

Paket / Case : SP2

Təchizatçı cihaz paketi : SP2

Maraqlı ola bilərsiniz

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.