Hissə nömrəsi :
APTGT200A602G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
IGBT növü :
Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
290A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 200A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
50µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
12.3nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP2