Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST330C12C0

KEY Part #: K6458744

VS-ST330C12C0 Qiymətləndirmə (USD) [886ədəd Stok]

  • 1 pcs$49.97357
  • 10 pcs$47.39658
  • 25 pcs$46.10675
  • 100 pcs$39.95861

Hissə nömrəsi:
VS-ST330C12C0
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
SCR PHASE CONT 1200V 720A E-PUK. SCRs 1200 Volt 720 Amp
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST330C12C0 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. VS-ST330C12C0 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. VS-ST330C12C0 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST330C12C0 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : VS-ST330C12C0
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : SCR PHASE CONT 1200V 720A E-PUK
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Off vəziyyət : 1.2kV
Gərginlik - Qapı tetikleyicisi (Vgt) (Maks) : 3V
Cari - Qapı Tetikçisi (Igt) (Maks) : 200mA
Gərginlik - Dövlət (Vtm) (Maks) : 1.96V
Cari - Dövlət (Bu (AV)) (Maks) : 720A
Cari - Dövlət (Bu (RMS)) (Maks) : 1420A
Cari - Hold (Ih) (Max) : 600mA
Cari - Off Dövlət (Maks) : 50mA
Cari - 50, 60 Hz (Özü) olmayan Surge : 9000A, 9420A
SCR Növü : Standard Recovery
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 125°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : TO-200AB, E-PUK
Təchizatçı cihaz paketi : TO-200AB (E-Puk)

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode