ITT Cannon, LLC - 120220-0206

KEY Part #: K7359508

120220-0206 Qiymətləndirmə (USD) [550125ədəd Stok]

1 pcs$0.06724
3,200 pcs$0.06328
6,400 pcs$0.05932
9,600 pcs$0.05537
16,000 pcs$0.05339
32,000 pcs$0.05260

Hissə nömrəsi:: 120220-0206

İstehsalçı:: ITT Cannon, LLC

Ətraflı Təsviri:: UNIVERSAL CONTACT 4MM SMD. Battery Contacts

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: RFID, RF girişi, monitorinq ICs, RF ötürücü modulları, RF Misc ICs və Modullar, RF Ön Sona (LNA + PA), RF güc bölücüləri / bölücülər, RF Mikserlər, RF gücləndiriciləri and RFID Transferləri, Etiketlər ...

Rəqabətli üstünlük:: ITT Cannon, LLC 120220-0206 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. 120220-0206 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. 120220-0206 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

120220-0206 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : 120220-0206

İstehsalçı : ITT Cannon, LLC

Təsvir : UNIVERSAL CONTACT 4MM SMD

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Növü : Shield Finger, Pre-Loaded

Forma : -

Genişlik : 0.043" (1.10mm)

Uzunluq : 0.194" (4.92mm)

Hündürlük : 0.157" (4.00mm)

Material : Beryllium Copper

Plitələr : Nickel

Plitə - Qalınlıq : 118.11µin (3.00µm)

Əlavə üsulu : Solder

Əməliyyat temperaturu : -

Son xəbərlər

ITT Cannon Micro D-Sub Connectors

ITT Cannon Trident Connectors

ITT Cannon D-Subminiature Connectors

ITT Cannon DL Zero Insertion Force Connectors

ITT Cannon CTC Cable-to-Cable Interconnects

Maraqlı ola bilərsiniz

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

English Azərbaycan