Hissə nömrəsi :
SI8808DB-T2-E1
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
-
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
330pF @ 15V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
500mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
4-Microfoot