Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6483-E3/97

KEY Part #: K6458275

1N6483-E3/97 Qiymətləndirmə (USD) [1025340ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.03807
  • 10,000 pcs$0.03788

Hissə nömrəsi:
1N6483-E3/97
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6483-E3/97 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. 1N6483-E3/97 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. 1N6483-E3/97 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6483-E3/97 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : 1N6483-E3/97
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Seriya : SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 800V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 1A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 800V
Kapasitans @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-213AB, MELF (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi : DO-213AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • S1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt