Vishay Semiconductor Diodes Division - S1M-E3/61T

KEY Part #: K6458200

S1M-E3/61T Qiymətləndirmə (USD) [1431523ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.02584
  • 1,800 pcs$0.02266
  • 3,600 pcs$0.02044
  • 5,400 pcs$0.01777
  • 12,600 pcs$0.01511
  • 45,000 pcs$0.01422
  • 90,000 pcs$0.01333

Hissə nömrəsi:
S1M-E3/61T
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division S1M-E3/61T elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S1M-E3/61T sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S1M-E3/61T üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1M-E3/61T Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : S1M-E3/61T
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 1000V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 1A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 1.8µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in