LS4150GS18 Qiymətləndirmə (USD) [3812532ədəd Stok]
- 1 pcs$0.00970
- 10,000 pcs$0.00914
- Hissə nömrəsi:
- LS4150GS18
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 600mA 4.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - SCR - Modullar, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division LS4150GS18 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. LS4150GS18 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. LS4150GS18 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
LS4150GS18 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
LS4150GS18
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Seriya :
Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
600mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 200mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
4ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SOD-80 Variant
Təchizatçı cihaz paketi :
SOD-80 QuadroMELF
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
175°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
İsti hissələr
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18
选择你的位置