Hissə nömrəsi :
IPD053N08N3GBTMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4750pF @ 40V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
150W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO252-3
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63