Hissə nömrəsi :
TK16A60W5,S4VX
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
15.8A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1350pF @ 300V
FET Feature :
Super Junction
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
40W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220SIS
Paket / Case :
TO-220-3 Full Pack