Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB5JTHE3/45

KEY Part #: K6445590

UGB5JTHE3/45 Qiymətləndirmə (USD) [2056ədəd Stok]

  • 1,000 pcs$0.25297

Hissə nömrəsi:
UGB5JTHE3/45
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division UGB5JTHE3/45 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. UGB5JTHE3/45 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. UGB5JTHE3/45 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB5JTHE3/45 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : UGB5JTHE3/45
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 5A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.75V @ 5A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 30µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F : -
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode