BAS316,H3F Qiymətləndirmə (USD) [3056256ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01210
- Hissə nömrəsi:
- BAS316,H3F
- İstehsalçı:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS316,H3F sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS316,H3F üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BAS316,H3F Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BAS316,H3F
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
250mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 150mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
3ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
200nA @ 80V
Kapasitans @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-76, SOD-323
Təchizatçı cihaz paketi :
USC
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
İsti hissələr
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置