IXYS - IXFT18N100Q3

KEY Part #: K6394663

IXFT18N100Q3 Qiymətləndirmə (USD) [7060ədəd Stok]

  • 1 pcs$6.74670
  • 90 pcs$6.71313

Hissə nömrəsi:
IXFT18N100Q3
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFT18N100Q3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT18N100Q3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT18N100Q3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT18N100Q3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFT18N100Q3
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4890pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 830W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA